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產品簡介
●可在紫外和可見（250至800nm）波長區域中測量橢圓參數●可分析納米級多層薄膜的厚度●可以通過超過400ch的多通道光譜快速測量Ellipso光譜●通過可變反射角測量，可詳細分析薄膜●通過創建光學常數數據庫和追加菜單注冊功能，增強操作便利性●通過層膜貼合分析的光學常數測量可控制膜厚度/膜質量
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包括s波和p波的線性偏振光入射到樣品上，對于反射光的橢圓偏振光進行測量。s波和p波的位相和振幅獨立變化，可以得出比線性偏振光中兩種偏光的變換參數，即p波和S波的反射率的比tanψ相位差Δ。
| 型號 | FE-5000S | FE-5000 |
|---|---|---|
| 測量樣品 | 反射測量樣品 | |
| 樣品尺寸 | 100×100毫米 | 200×200毫米 |
| 測量方法 | 旋轉分析儀方法*1 | |
| 測量膜厚范圍（ND） | 0.1納米- | |
| 入射（反射）的角度范圍 | 45至90° | 45至90° |
| 入射（反射）的角度驅動方式 | 自動標志桿驅動方法 | |
| 入射點直徑*2 | 關于φ2.0 | 關于φ1.2sup*3 |
| tanψ測量精度 | ±0.01以下 | |
| cosΔ測量精度 | ±0.01以下 | |
| 薄膜厚度的可重復性 | 0.01％以下*4 | |
| 測定波長范圍*5 | 300至800納米 | 250至800納米 |
| 光譜檢測器 | 多色儀（PDA，CCD） | |
| 測量用光源 | 高穩定性氙燈*6 | |
| 平臺驅動方式 | 手動 | 手動/自動 |
| 裝載機兼容 | 不可 | 可 |
| 尺寸，重量 | 650（W）×400（D）×560（H）mm 約50公斤 | 1300（W）×900（D）×1750（H）mm 約350公斤*7 |
| 軟件 | ||
| 分析 | 最小二乘薄膜分析（折射率模型函數，Cauchy色散方程模型方程，nk-Cauchy色散模型分析等） 理論方程分析（體表面nk分析，角度依賴同時分析） | |
*1可以驅動偏振器，可以分離不感帶有效的位相板。
*2取決于短軸?角度。
*3對應微小點（可選）
*4它是使用VLSI標準SiO2膜（100nm）時的值。
*5可以在此波長范圍內進行選擇。
*6光源因測量波長而異。
*7選擇自動平臺時的值。
作為用于液晶顯示器等的透明電極材料ITO（氧化銦錫），在成膜后的退火處理（熱處理）可改善其導電性和色調。此時，氧氣狀態和結晶度也發生變化，但是這種變化相對于膜的厚度是逐漸變化的，不能將其視為具有光學均勻組成的單層膜。
以下介紹對于這種類型的ITO，通過使用梯度模型，從上界面和下界面的nk測量斜率。
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